Инвентаризация:1871

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30A (Tj)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 104mOhm @ 10A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 134W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.6V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 48 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 571 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


TRANS SJT 600V 100A TO258

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 70A TO247N

Инвентаризация: 9107

750V, 34A, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 406

750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 4859

750V, 34A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 496

750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 705

Top