Инвентаризация:1996

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 34A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 59mOhm @ 17A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 115W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.8V @ 8.89mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +21V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 750 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 63 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1460 pF @ 500 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 56A TO263-7

Инвентаризация: 998

750V, 105A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 417

1200V, 81A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 391

750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 1000

750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 1014

1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 796

750V, 45M, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 4206

750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 4859

750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 989

1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 914

Top