Инвентаризация:1895

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 55A (Tj)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 52mOhm @ 20A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 262W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.6V @ 10mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 107 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1337 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 95A TO247N

Инвентаризация: 146

SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4L

Инвентаризация: 828

DISCRETE

Инвентаризация: 0

Top