Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 21A (Ta), 194A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.04mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3W (Ta), 250W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 141µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TSON-8-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 8V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 120 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 74 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5500 pF @ 60 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON

Инвентаризация: 98063

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

Инвентаризация: 0

TRENCH >=100V PG-TDSON-8

Инвентаризация: 6796

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

Инвентаризация: 14843

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

Инвентаризация: 8246

Top