Технические детали

• Пакет/кейс 3-XFDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -65°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 200mA (Ta)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 400mW (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 900mV @ 100µA
• Пакет устройств поставщика X2-DFN1006-3
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4V
• ВГС (Макс) ±10V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 41 pF @ 3 V