Инвентаризация:5585

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-XFDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 220mA (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 125mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 3-XDFN (0.42x0.62)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 12.3 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 127MA 3XDFN

Инвентаризация: 3281

MOSFET 2N-CH 30V 12A/54A 12WQFN

Инвентаризация: 2718

Top