- Модель продукта GT040N04TI
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание N40V, 110A,RD<4M@10V,VTH1.0V~2.5
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1565
Технические детали
- Пакет/кейс TO-220-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 110A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4mOhm @ 10A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 160W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-220
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 50 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2303 pF @ 20 V
Сопутствующие товары
N60V, 170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2
Инвентаризация: 16
MOSFET N-CH 60V 170A TO-220
Инвентаризация: 5000
MOSFET, N-CH, 40V,60A,TO-220
Инвентаризация: 184
MOSFET N-CH 40 60A TO-220
Инвентаризация: 5000
