- Модель продукта GT025N06AT
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание N60V, 170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1516
Технические детали
- Пакет/кейс TO-220-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 170A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 20A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 215W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-220
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 70 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4954 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V
Инвентаризация: 96
MOSFET N-CH 60V 170A TO-220
Инвентаризация: 1000
N40V, 110A,RD<4M@10V,VTH1.0V~2.5
Инвентаризация: 65
