- Модель продукта 18N20J
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание N200V, 18A,RD<0.16@10V,VTH1V~3V,
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Пакет/кейс TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 18A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 160mOhm @ 9A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 65.8W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-251
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±30V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17.7 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 836 pF @ 25 V