- Модель продукта G630J
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание N200V, 9A,RD<0.28@10V,VTH1.0V~3.
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.5A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 83W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-251
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11.8 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 509 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
N200V, 18A,RD<0.19@10V,VTH1.0V~3
Инвентаризация: 75
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F
Инвентаризация: 50000
N200V, 18A,RD<0.16@10V,VTH1V~3V,
Инвентаризация: 0
N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
Инвентаризация: 87
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
Инвентаризация: 2881
MOSFET N-CH 250V 8A IPAK
Инвентаризация: 5836
