- Модель продукта IGO60R042D1AUMA2
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание GAN HV
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Пакет устройств поставщика PG-DSO-20-85
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
Сопутствующие товары
650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Инвентаризация: 1985
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Инвентаризация: 2376
ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Инвентаризация: 3051
GAN HV PG-LSON-8
Инвентаризация: 0
GANFET N-CH
Инвентаризация: 959
RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT
Инвентаризация: 0
GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Инвентаризация: 3926
