Технические детали

• Пакет/кейс Module
• Тип монтажа Chassis Mount
• Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 45A (Tj)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 16.2mOhm @ 50A, 18V
• Vgs(th) (Макс) @ Id 5.15V @ 20mA
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
• ВГС (Макс) +20V, -7V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 149 nC @ 18 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4400 pF @ 800 V