- Модель продукта DF16MR12W1M1HFB67BPSA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET 2N-CH 1200V 25A
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1524
Технические детали
- Тип монтажа Chassis Mount
- Конфигурация 2 N-Channel
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 25A
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2200pF @ 800V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 32.3mOhm @ 25A, 18V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 74nC @ 18V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5.15V @ 10mA