Инвентаризация:1525

Технические детали

  • Пакет/кейс 4-SMD, No Lead
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 130mOhm @ 4A, 5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика 4-SMD
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
  • ВГС (Макс) +6V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3 nC @ 5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 150 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


MOSFET 200V 4A 4SMD

Инвентаризация: 330

GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C

Инвентаризация: 0

Top