- Модель продукта FBG20N04ASH
- Бренд EPC Space
- RoHS 0
- Описание GAN FET HEMT 200V 4A 4FSMD-A
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1525
Технические детали
- Пакет/кейс 4-SMD, No Lead
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 130mOhm @ 4A, 5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика 4-SMD
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
- ВГС (Макс) +6V, -4V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3 nC @ 5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 150 pF @ 100 V