Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 104A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 25mOhm @ 43A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 468W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.1V @ 15mA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO263-7-12
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V, 20V
  • ВГС (Макс) +23V, -5V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 82 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2667 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1272

SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 501

1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 925

Top