Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 270mA (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 11Ohm @ 270mA, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.9W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-SO
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 13 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 670 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R

Инвентаризация: 0

MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R

Инвентаризация: 0

MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R

Инвентаризация: 0

Top