Технические детали

• Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 200mA (Ta)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 20Ohm @ 200mA, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 1.9W (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 8-SO
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
• ВГС (Макс) ±30V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9.7 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 400 pF @ 25 V