Инвентаризация:3804

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 2.6W (Ta), 93W (Tc)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 59A (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1986pF @ 50V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 17.4mOhm @ 17A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 28.6nC @ 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerDI5060-8 (Type E)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50

Инвентаризация: 2470

MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50

Инвентаризация: 2500

MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8

Инвентаризация: 6260

Top