Инвентаризация:7760

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® 8 x 8 Dual
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 187W
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 70A (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2832pF @ 50V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 10A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 58nC @ 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® 8 x 8 Dual
  • Оценка Automotive
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN

Инвентаризация: 3760

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3

Инвентаризация: 6925

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 3348

MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

Инвентаризация: 0

IC BUFFER NON-INVERT 6V 16TSSOP

Инвентаризация: 13121

MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8

Инвентаризация: 4210

MOSFET N-CH 100V 131A TO263

Инвентаризация: 0

Top