Инвентаризация:4450

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 373A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 0.75mOhm @ 60A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 188W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerFlat™ (5x6)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±16V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 95 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 7657 pF @ 25 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET_(20V 40V)

Инвентаризация: 4457

MOSFET

Инвентаризация: 1017

MOSFET

Инвентаризация: 1364

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC

Инвентаризация: 1211

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 1211

MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8

Инвентаризация: 6763

MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212

Инвентаризация: 7959

MOSFET N-CH 100V 131A TO263

Инвентаризация: 0

Top