- Модель продукта G08P06D3
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6996
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerVDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 52mOhm @ 6A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 32W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика 8-DFN (3.15x3.05)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2972 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Инвентаризация: 3782
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Инвентаризация: 2363
MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L
Инвентаризация: 50000
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Инвентаризация: 235118
IC TRANSLATOR UNIDIR 14WQFN
Инвентаризация: 13815
