Инвентаризация:5282

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 32A (Ta), 40A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TSDSON-8-34
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±16V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 25 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3900 pF @ 12 V

Сопутствующие товары


P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.

Инвентаризация: 5496

MOSFET P-CH 60V 8A DFN3*3-8L

Инвентаризация: 30000

Top