Инвентаризация:1740

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 38A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 85mOhm @ 15A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 148W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 61 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1196 pF @ 325 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5

Инвентаризация: 510

MOSFET N-CH 30V DPAK-3

Инвентаризация: 94

SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 383

Top