- Модель продукта GT060N04D3
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:14965
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerVDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 40A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 30A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 24W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика 8-DFN (3.15x3.05)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 32 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1282 pF @ 20 V
Сопутствующие товары
N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10
Инвентаризация: 13465
MOSFET N-CH 40V 40A DFN3*3-8L
Инвентаризация: 15000
N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Инвентаризация: 4584
MOSFET N-CH 40V 13A DFN3*3-8L
Инвентаризация: 10000
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Инвентаризация: 15542
