Инвентаризация:19394

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.2A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 68mOhm @ 6A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.1W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN3333-8
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 879 pF @ 30 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323

Инвентаризация: 887967

MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323

Инвентаризация: 299619

MOSFET N-CH 30V 154MA SC75

Инвентаризация: 26190

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 5000

Top