Технические детали

• Пакет/кейс 3-XDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 270mA (Ta)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 100mA, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.1V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика DFN1110D-3
• Оценка Automotive
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
• ВГС (Макс) +12V, -20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 50 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.6 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 23.2 pF @ 25 V
• Квалификация AEC-Q101