Технические детали

• Пакет/кейс 3-XFDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 350mA (Ta)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.8Ohm @ 200mA, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 350mW (Ta), 3.1W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.1V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика DFN1006B-3
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V, 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 23.6 pF @ 10 V