- Модель продукта PMDPB95XNE2X
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS No
- Описание MOSFET 30V
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:442432
Технические детали
- Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация 2 N-Channel
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 510mW (Ta), 8.33W (Tc)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.7A (Ta)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 258pF @ 15V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 99mOhm @ 2.8A, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.25V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика 6-HUSON (2x2)