Технические детали

• Пакет/кейс TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора PNP
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 400mV @ 3mA, 30mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 140 @ 10mA, 5V
• Частота – переход 150MHz
• Пакет устройств поставщика 3-MP
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 70 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 160 V
• Мощность - Макс. 900 mW