- Модель продукта 2301H
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4316
Технические детали
- Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.8A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 75mOhm @ 3A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 890mW (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.4V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика SOT-23-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12 nC @ 2.5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 405 pF @ 10 V