Инвентаризация:4949

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика SOT-23
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±12V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12 nC @ 2.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 405 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 23812

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 58763

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3

Инвентаризация: 42487

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 114762

MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.22A, 50V

Инвентаризация: 57976

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3

Инвентаризация: 13213

Top