Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3 Variant
  • Тип монтажа Through Hole
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 57A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 75mOhm @ 28.5A, 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 2.5mA
  • Пакет устройств поставщика T-MAX™ [B2]
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 500 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 125 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5590 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


IGBT MODULE 600V 50A 90W SP3

Инвентаризация: 0

PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C

Инвентаризация: 4

SIC 4N-CH 1200V 173A SP3F

Инвентаризация: 0

PM-MOSFET-SIC~-SP6P

Инвентаризация: 0

Top