Инвентаризация:1504

Технические детали

  • Пакет/кейс Module
  • Тип монтажа Chassis Mount
  • Тип диода Single Phase
  • Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии Silicon Carbide Schottky
  • Пакет устройств поставщика SP6
  • Напряжение — пиковое обратное (макс.) 700 V
  • Ток – средний выпрямленный (Io) 100 A
  • Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If 1.8 V @ 100 A
  • Ток – обратная утечка @ Vr 400 µA @ 700 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 500V 57A T-MAX

Инвентаризация: 0

IGBT MODULE 600V 50A 90W SP3

Инвентаризация: 0

SIC 4N-CH 1200V 173A SP3F

Инвентаризация: 0

PM-MOSFET-SIC~-SP6P

Инвентаризация: 0

Top