Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8.8A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 15mOhm @ 8.8A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN2020M-6
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 44 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1392 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN

Инвентаризация: 35805

MOSFET N-CH 60V 2.1A/5.7A 6DFN

Инвентаризация: 16464

MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON

Инвентаризация: 3535

Top