Инвентаризация:34642

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 120A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.21mOhm @ 60A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 115W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 60µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±16V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 80 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4832 pF @ 25 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


IAUC100N04S6L014ATMA1

Инвентаризация: 23428

IAUC100N04S6L025ATMA1

Инвентаризация: 46882

IAUC100N04S6N015ATMA1

Инвентаризация: 2576

IAUC100N04S6N022ATMA1

Инвентаризация: 12848

IAUC100N04S6N028ATMA1

Инвентаризация: 9910

MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33

Инвентаризация: 9865

MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34

Инвентаризация: 36681

IAUC60N04S6N044ATMA1

Инвентаризация: 14097

MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN

Инвентаризация: 1298

P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

Инвентаризация: 10843

Top