- Модель продукта SIJH112E-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS 0
- Описание MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3010
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerTDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 23A (Ta), 225A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 20A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 3.3W (Ta), 333W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика PowerPAK® 8 x 8
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 160 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 8050 pF @ 50 V