Технические детали

• Пакет/кейс TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора NPN
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 500mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 120 @ 50mA, 2V
• Частота – переход 50MHz
• Пакет устройств поставщика TO-92-3
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 700 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 60 V
• Мощность - Макс. 800 mW