Технические детали

• Пакет/кейс TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора PNP
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 15nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
• Частота – переход 150MHz
• Пакет устройств поставщика TO-92-3
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 65 V
• Мощность - Макс. 500 mW