- Модель продукта IPW60R165CPFKSA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 21A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 165mOhm @ 12A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 192W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 790µA
- Пакет устройств поставщика PG-TO247-3-1
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 52 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2000 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3
Инвентаризация: 5355
MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Инвентаризация: 11611
MOSFET N-CH 250V TSON-8
Инвентаризация: 9099
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3
Инвентаризация: 490
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Инвентаризация: 2240
MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Инвентаризация: 7325
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO247-3
Инвентаризация: 82
