Инвентаризация:1611

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 31A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 178W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-3
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
  • ВГС (Макс) +25V, -15V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 56 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1670 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3

Инвентаризация: 1585

SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3

Инвентаризация: 3704

SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3

Инвентаризация: 3429

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4

Инвентаризация: 261

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 172

SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3

Инвентаризация: 403

SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3

Инвентаризация: 890

Top