Инвентаризация:17973

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 33A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 12V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 254.2W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 6V @ 10mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 12V
  • ВГС (Макс) ±25V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 43 nC @ 12 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1500 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


MODULE REQUIRES WAFER

Инвентаризация: 1006

SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4

Инвентаризация: 706

1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4781

THERM PAD 25.4MMX19.05MM BEIGE

Инвентаризация: 5930

SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4

Инвентаризация: 806

SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3

Инвентаризация: 17660

SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4

Инвентаризация: 442

Top