- Модель продукта SISS63DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS 1
- Описание MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:38785
Технические детали
- Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8S
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 35.1A (Ta), 127.5A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 15A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 5W (Ta), 65.8W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8S
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±12V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 236 nC @ 8 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 7080 pF @ 10 V