Инвентаризация:4480

Технические детали

  • Пакет/кейс SC-100, SOT-669
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 120A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 25A, 10V
  • Особенность полевого транзистора Schottky Diode (Body)
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 115W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.05V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика LFPAK56, Power-SO8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 57 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4103 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 5276

MOSFET, P-CH, SINGLE, -100A, -30

Инвентаризация: 2870

MOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4

Инвентаризация: 2954

MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56

Инвентаризация: 4364

MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK

Инвентаризация: 27308

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 3878

Top