Инвентаризация:4370

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 30A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 138W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-PPAK (5.1x5.71)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 210 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 12000 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON

Инвентаризация: 71386

MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON

Инвентаризация: 2735

MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23

Инвентаризация: 156051

MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 5276

MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK

Инвентаризация: 27308

Top