Технические детали

• Пакет/кейс 8-PowerTDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20.7A (Ta), 100A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 50A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 2.8W (Ta), 83.3W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика PowerDI5060-8 (Type Q)
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 46.7 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2799 pF @ 30 V