Технические детали

• Пакет/кейс TO-247-4
• Тип монтажа Through Hole
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 26A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 117mOhm @ 8.5A, 18V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 115W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 5.7V @ 3.7mA
• Пакет устройств поставщика PG-TO247-4-1
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
• ВГС (Макс) +23V, -7V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 21 nC @ 18 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 707 pF @ 800 V