- Модель продукта SISF02DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS 1
- Описание MOSFET 2N-CH 25V 30.5A/60A PPAK
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1524
Технические детали
- Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8SCD
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 25V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30.5A (Ta), 60A (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2650pF @ 10V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 7A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 56nC @ 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8SCD