- Модель продукта SH8MA3TB1
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- Описание MOSFET N/P-CH 30V 7A/6A 8SOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:21189
Технические детали
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация N and P-Channel
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 2W (Ta)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7A (Ta), 6A (Ta)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 300pF @ 15V, 480pF @ 15V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 28mOhm @ 7A, 10V, 50mOhm @ 6A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7.2nC @ 10V, 10nC @ 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика 8-SOP