- Модель продукта HP8MA2TB1
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- Описание MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8HSOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:3804
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerTDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация N and P-Channel
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 3W (Ta)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 18A (Ta), 15A (Ta)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика 8-HSOP