- Модель продукта RF4L055GNTCR
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:16676
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerUDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5.5A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 43mOhm @ 5.5A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.7V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика HUML2020L8
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7.8 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 400 pF @ 30 V